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消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 后年推出,0a DRAM 为 VCT 结构

发布时间:2024-10-29 17:31:52来源:
10 月 29 日消息,《韩国 》当地时间昨日表示,根据其掌握的最新三星半导体存储路线图,三星电子将于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过 400,而预计于 2027 年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

三星目前最先进的 NAND 和 DRAM 工艺分别为第 9 代 V-NAND 和 1b nm(12 纳米级)DRAM。

报道表示三星第 10 代(即下代) V-NAND 将被命名为 BV(Bonding Vertical) NAND,这是因为这代产品将调整 NAND 结构,从目前的 CoP 外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合,整体思路与长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 相似。

韩媒表示,这一改动可防止 NAND 堆叠过程中对外围电路结构的破坏,还能实现较 CoP 方案高出 60% 的位密度;2027 年的 V11 NAND 层数进一步增长,I/O 速率可提升 50%;未来有望实现千层堆叠。

而在 DRAM 内存领域,韩媒表示三星电子将于 2025 年上半年推出 1c nm DRAM,2026 年推出 1d nm DRAM,而到 2027 年则将推出第一代 10nm 以下级 0a nm DRAM 内存,整体同三星存储器业务负责人李祯培此前展示的内容相近。

报道认为三星电子将在 0a nm 节点引入 VCT( 注:垂直通道晶体管)技术,构建三维结构的 DRAM 内存,进一步提升容量的同时减少临近单元干扰。此前消息指,三星将于明年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发。

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